BSC093N04LS G Infineon

Symbol Micros: TBSC093n04ls
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 13,7 mOhm; 49A; 35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC093N04LSGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,7mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC093N04LSGATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
154980 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1677
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,7mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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