BSC190N15NS3G Infineon

Symbol Micros: TBSC190n15ns3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-MOSFET 150V 50A 125W 19mΩ BSC190N15NS3GATMA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,8727 1,4869 1,3443 1,2718 1,2485
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 20mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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