BSC190N15NS3G Infineon
Symbol Micros:
TBSC190n15ns3g
Gehäuse: TDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC190N15NS3GATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1 RoHS
Gehäuse: TDSON08
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8890 | 1,4999 | 1,3560 | 1,2829 | 1,2593 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2593 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC190N15NS3GATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2593 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 20mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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