BSC340N08NS3GATMA1 Infineon

Symbol Micros: TBSC340n08ns3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 66mOhm; 23A; 32W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC340N08NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
3125000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0871
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC340N08NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
65000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1878
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD