BSC440N10NS3GATMA1

Symbol Micros: TBSC440n10ns3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON-8
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC440N10NS3G RoHS Gehäuse: TDSON-8 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5428 1,0797 0,8912 0,8237 0,8121
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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