BSD235CH6327XTSA1

Name: TBSD235c TBSD235c
Brand: Infineon
SKU: TBSD235c
Price: 0.1002 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSD235c

Gehäuse: SOT363

N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,1Ohm
Max. Drainstrom:	950mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

3635 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2756	0,1462	0,1133	0,1046	0,1002

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

321000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1002

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

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60000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1002

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1002

Widerstand im offenen Kanal:	2,1Ohm
Max. Drainstrom:	950mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD