BSD235CH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSD235c
Gehäuse: SOT363
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
Max. Drainstrom: | 950mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3635 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2822 | 0,1497 | 0,1160 | 0,1071 | 0,1026 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
327000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1026 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1026 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1026 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
Max. Drainstrom: | 950mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N/P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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