BSD235CH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSD235c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
N/P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 600 mOhm/2,1 Ohm; 950mA/530mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 950mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3635 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2822 0,1497 0,1160 0,1071 0,1026
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
327000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1026
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1026
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235CH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1026
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,1Ohm
Max. Drainstrom: 950mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD