BSD235NH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSD235nh

Gehäuse: SOT363

Transistor-N-Channel-MOSFET; 20V; -/+12V; 226 mOhm; 950mA; 500 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	225mOhm
Max. Drainstrom:	950mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt

Auf Lager:

1700 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2641	0,1457	0,0967	0,0809	0,0752

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD235NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT363

Externes Lager:

75000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0752

Widerstand im offenen Kanal:	225mOhm
Max. Drainstrom:	950mA
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT363
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD