BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon

Symbol Micros: TBSD314spe
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 230 mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSD314SPEH6327XTSA RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2606 0,1422 0,0933 0,0842 0,0742
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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