BSH103,215
Symbol Micros:
TBSH103
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 600 mOhm; 850mA; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH103.215; BSH103,235; BSH103.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 850mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 750mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSH103 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3890 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2783 | 0,1476 | 0,1144 | 0,1057 | 0,1012 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSH103,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
75000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1012 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSH103,235
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
70000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,1012 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSH103,215
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1012 |
Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
Max. Drainstrom: | 850mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 750mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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