BSH103,215

Symbol Micros: TBSH103
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 600 mOhm; 850mA; 750 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH103.215; BSH103,235; BSH103.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 850mA
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH103 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3890 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2783 0,1476 0,1144 0,1057 0,1012
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH103,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
75000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1012
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH103,235 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
70000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1012
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH103,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
60000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1012
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 850mA
Maximaler Leistungsverlust: 750mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD