BSH105

Symbol Micros: TBSH105

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 8V; 375 mOhm; 1,05A; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH105.215; BSH105.235;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	375mOhm
Max. Drainstrom:	1,05A
Maximaler Leistungsverlust:	417mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Msx. Drain-Gate Spannung:	20V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH105,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

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4144 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3305	0,1826	0,1437	0,1329	0,1275

Widerstand im offenen Kanal:	375mOhm
Max. Drainstrom:	1,05A
Maximaler Leistungsverlust:	417mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Msx. Drain-Gate Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD