BSH201

Symbol Micros: TBSH201

Gehäuse: SOT23-3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 4,25 Ohm; 300mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH201.215; BSH205.215;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,25Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	417mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSH201,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2520 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2736	0,1446	0,1120	0,1033	0,0991

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH201,215 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0991

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH201,215 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

18000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0991

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSH201,215 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

273000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0991

Widerstand im offenen Kanal:	4,25Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	417mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD