BSH203
Symbol Micros:
TBSH203
Gehäuse: SOT23-3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 30V; 8V; 1,65 Ohm; 470mA; 417 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSH203.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,65Ohm |
Max. Drainstrom: | 470mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 417mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSH203,215 RoHS WJ.
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2869 | 0,1567 | 0,1028 | 0,0928 | 0,0819 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSH203,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0819 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,65Ohm |
Max. Drainstrom: | 470mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 417mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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