BSL215CH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSL215c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TSOP06
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N/P-MOSFET 20V 1.5A 140mΩ 500mW BSL215CH6327XTSA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL215CH6327 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
16 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5658 0,3577 0,2829 0,2572 0,2455
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSL215CH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: TSOP06 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5658 0,3577 0,2829 0,2572 0,2455
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: TSOP06
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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