BSN20 NXP
Symbol Micros:
TBSN20
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSN20.215; BSN20.235;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 28Ohm |
Max. Drainstrom: | 173mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSN20 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,2252 | 0,1142 | 0,0692 | 0,0548 | 0,0500 |
Widerstand im offenen Kanal: | 28Ohm |
Max. Drainstrom: | 173mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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