BSN20-7
Symbol Micros:
TBSN20-7 Diodes
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 500mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSN20-7 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2255 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,1910 | 0,0969 | 0,0587 | 0,0465 | 0,0425 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSN20-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
303000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0437 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSN20-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
54000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0443 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSN20-7
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
75000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0443 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 500mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 600mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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