BSO220N03MDG INFINEON

Symbol Micros: TBSO220n03mdg
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOIC08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO220N03MDGXUMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSO220N03MDG RoHS Gehäuse: SOIC08t/r Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5794 0,3211 0,2536 0,2397 0,2315
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 27mOhm
Max. Drainstrom: 7,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOIC08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole