BSO613SPV G Infineon
Symbol Micros:
TBSO613spv
Gehäuse: SOIC08
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 3,44A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | 3,44A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOIC08 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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