BSP125
Symbol Micros:
TBSP125
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60Ohm |
| Max. Drainstrom: | 120mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP125-L6327 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 15+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5896 | 0,3278 | 0,2571 | 0,2429 | 0,2354 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP125H6433XTMA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4000 stk.
| Anzahl Stück | 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2354 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60Ohm |
| Max. Drainstrom: | 120mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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