BSP135
Symbol Micros:
TBSP135
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60Ohm |
| Max. Drainstrom: | 120mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP135H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5471 | 1,1792 | 0,9763 | 0,8561 | 0,8136 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP135H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
81000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8136 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP135H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
126000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8136 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP135H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2800 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8136 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60Ohm |
| Max. Drainstrom: | 120mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole