BSP149

Name: TBSP149 TBSP149
Brand: Infineon
SKU: TBSP149
Price: 0.6530 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP149

Gehäuse: SOT223-3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3,5 Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,5Ohm
Max. Drainstrom:	660mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223-3
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223-3 Datenblatt

Auf Lager:

3 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2403	0,8691	0,7376	0,6742	0,6530

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2403	0,8691	0,7376	0,6742	0,6530

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-3

Externes Lager:

317000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6530

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-3

Externes Lager:

28000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6530

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-3

Externes Lager:

4625 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6530

Widerstand im offenen Kanal:	3,5Ohm
Max. Drainstrom:	660mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223-3
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD