BSP149
Symbol Micros:
TBSP149
Gehäuse: SOT223-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 3,5 Ohm; 660mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 660mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223-3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223-3
Datenblatt
Auf Lager:
3 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9380 | 0,5886 | 0,4901 | 0,4361 | 0,4080 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9380 | 0,5886 | 0,4901 | 0,4361 | 0,4080 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223-3
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4080 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP149H6327XTSA1
Gehäuse: SOT223-3
Externes Lager:
215000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4080 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 660mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223-3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole