BSP250

Symbol Micros: TBSP250
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 3A; 5W; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP250.115; BSP250.135;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSP250,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
485 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7712 0,4882 0,3844 0,3514 0,3349
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSP250,115 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
63000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3349
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSP250,135 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3349
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSP250,115 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
144000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3349
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Montage: SMD