BSP250

Symbol Micros: TBSP250
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Gehäuse: SOT223
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P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSP250,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
985 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7645 0,4840 0,3811 0,3484 0,3320
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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