BSP295

Symbol Micros: TBSP295

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 500 mOhm; 1,8A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP295H6327XTSA1; BSP295L6327;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP295H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

446000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1887

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP295H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2185

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP295H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

16275 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2706

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	1,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD