BSP296NH6327XTSA1

Name: TBSP296N TBSP296N
Brand: Infineon
SKU: TBSP296N
Price: 0.3019 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP296N

Gehäuse: SOT223-4

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 800 mOhm; 1,2A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP296NH6433XTMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	800mOhm
Max. Drainstrom:	1,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP296NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223-4 t/r Datenblatt

Auf Lager:

1136 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6933	0,4410	0,3467	0,3160	0,3019

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP296NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-4

Externes Lager:

21000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3019

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP296NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-4

Externes Lager:

39000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3019

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP296NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-4

Externes Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3019

Widerstand im offenen Kanal:	800mOhm
Max. Drainstrom:	1,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223-4
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD