BSP315P SOT223 TEC
Symbol Micros:
TBSP315p TEC
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; -60V; +/-20V; 130 mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Ähnlich zu: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | -3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | -60V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
Hersteller: TECH PUBLIC
Hersteller-Teilenummer: BSP315P RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5352 | 0,3397 | 0,2676 | 0,2443 | 0,2327 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 130mOhm |
| Max. Drainstrom: | -3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | -60V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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