BSP315P SOT223 TEC

Symbol Micros: TBSP315p TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: -3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: -60V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: BSP315P RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5401 0,3428 0,2700 0,2466 0,2348
Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: BSP315P RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5401 0,3428 0,2700 0,2466 0,2348
Standard-Verpackung:
7
Hersteller: TECH PUBLIC Hersteller-Teilenummer: BSP315P RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
493 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5401 0,3428 0,2700 0,2466 0,2348
Standard-Verpackung:
493
Widerstand im offenen Kanal: 130mOhm
Max. Drainstrom: -3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: -60V
Transistor-Typ: MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD