BSP317P
Symbol Micros:
TBSP317p
Gehäuse: SOT223
P-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 5Ohm; 430mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP317PH6327XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 430mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP317PH6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
34000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2156 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP317PH6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2070 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 430mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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