BSP317P

Symbol Micros: TBSP317p

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 5Ohm; 430mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP317PH6327XTSA1;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	430mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	430mA
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD