BSP318SH6327XTSA1
Symbol Micros:
TBSP318s
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 150 mOhm; 2,6A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP318SH6327XTSA1; BSP318SH6534XTMA1; BSP318SL6327HTSA1; BSP318S L6327; BSP318SH6327XTSA1; BSP318S;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP318SH6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7356 | 0,4624 | 0,3830 | 0,3409 | 0,3199 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP318SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
748620 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3199 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSP318SH6327XTSA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
3100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3741 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-04-30
Anzahl Stück: 1000
| Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole