BSP322P Infineon

Name: TBSP322p TBSP322p
Brand: Infineon
SKU: TBSP322p
Price: 0.2053 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSP322p

Gehäuse: SOT223

P-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 1Ohm; 1A; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSP322PH6327XTSA1; BSP322PL6327HTSA1;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP322PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

40 stk.

Anzahl Stück	2+	15+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5133	0,2860	0,2250	0,2121	0,2053

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP322PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

7000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,2053

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP322PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,2053

Widerstand im offenen Kanal:	1Ohm
Max. Drainstrom:	1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,8W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD