BSP373

Symbol Micros: TBSP373
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-MOSFET 1.7A 100V 1.8W 0.3Ω BSP373NH6327XTSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP373NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
22000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1739
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP373NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1988
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP373NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1670
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 1,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD