BSP52

Symbol Micros: TBSP52
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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darl.NPN 1A 80V 0.8W darl.NPN 1A 80V 0.8W

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Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSP52T1G RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
402 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,4050 0,2247 0,1774 0,1611 0,1559
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Standard-Verpackung:
1000
Verlustleistung: 1,25W
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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