BSP52,115

Symbol Micros: TBSP52 NXP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor NPN; 2000; 1,25W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 2000; 1,25W; 80V; 1A; 200MHz; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSP52,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4073 0,2240 0,1760 0,1632 0,1564
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSP52,115 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
744 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4073 0,2240 0,1760 0,1632 0,1564
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Standard-Verpackung:
744
Verlustleistung: 1,25W
Grenzfrequenz: 200MHz
Stromverstärkungsfaktor: 2000
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 1A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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