BSP75

Symbol Micros: TBSP75N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET 1,1A 60V 1,6W 0,5Ω BSP75N BSP75NTA BSP75NHUMA1

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Parameter
Drain-Widerstand (Rds on): 6 Ohm
Drainstrom: 350mA
Leistung: 1,8W
Spannung [Uds]: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP75NHUMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
28000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,6403
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Drain-Widerstand (Rds on): 6 Ohm
Drainstrom: 350mA
Leistung: 1,8W
Spannung [Uds]: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET

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