BSP75

Symbol Micros: TBSP75N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET 1,1A 60V 1,6W 0,5Ω BSP75N BSP75NTA BSP75NHUMA1
Parameter
Drain-Widerstand (Rds on): 6 Ohm
Drainstrom: 350mA
Leistung: 1,8W
Spannung [Uds]: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP75NHUMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6786
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Drain-Widerstand (Rds on): 6 Ohm
Drainstrom: 350mA
Leistung: 1,8W
Spannung [Uds]: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole