BSP88H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSP88h
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 15 Ohm; 350mA; 1,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP88H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4670 0,2592 0,2046 0,1929 0,1868
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP88H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
28000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1868
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSP88H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1868
Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 15Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,8W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD