BSR316PH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSR316p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-59
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P-MOSFET 0.36A 100V 0.500W 1.8Ω
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,18Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSR316PH6327XTSA1 Gehäuse: SC-59  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1093
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,18Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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