BSR606NH6327XTSA1

Symbol Micros: TBSR606n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC59
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Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC59
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSR606NH6327XTSA1 RoHS LIs. Gehäuse: SC59 Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 25+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,3951 0,2572 0,2055 0,1683 0,1520
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Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 90mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC59
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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