BSR802NL INFINEON

Symbol Micros: TBSR802nl
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-59
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 32mOhm; 3,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSR802NL6327HTSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSR802N L6327 RoHS Gehäuse: SC-59 t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4554 0,2522 0,1990 0,1878 0,1817
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSR802NL6327HTSA1 Gehäuse: SC-59  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1817
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SC-59
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole