BSS119NH6327 Infineon

Symbol Micros: TBSS119n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS119NH6327XTSA1; BSS119 L6327; BSS119NH6433XTMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS119NH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2540 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2835 0,1565 0,1039 0,0867 0,0808
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS119NH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
69000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0808
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 190mA
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole