BSS123

Symbol Micros: TBSS123 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel MOSFET 0.17A 100V 10000m? BSS123-YAN
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
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Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0733 0,0283 0,0138 0,0110 0,0105
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Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-05-10
Anzahl Stück: 6000
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT-23
Hersteller: YFW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD