BSS123 SA SOT23 HT(Shenzhen Jinyu Semicon)

Symbol Micros: TBSS123 HT
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans. N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 170mA; 10Ohm; 360mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HT
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BSS123 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0628 0,0242 0,0118 0,0094 0,0090
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HT
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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