BSS123NH6327XTSA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSS123n
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 10 Ohm; 190mA; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123NH6433XTMA1; BSS123NH6327; BSS123NH6327XTSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 190mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
7251000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0311 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6433XTMA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
1183999 stk.
| Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0321 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSS123NH6327XTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
216000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0324 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
| Max. Drainstrom: | 190mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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