BSS123W-7-F Diodes INCORPORATED
Symbol Micros:
TBSS123w
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123W; BSS123W-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2875 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2060 | 0,1044 | 0,0633 | 0,0502 | 0,0458 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
597000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0458 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
69000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0458 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
108000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0458 |
Widerstand im offenen Kanal: | 10Ohm |
Max. Drainstrom: | 170mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 200mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | DIODES |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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