BSS123W-7-F Diodes INCORPORATED

Symbol Micros: TBSS123w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 10 Ohm; 170mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS123W; BSS123W-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2875 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2060 0,1044 0,0633 0,0502 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
597000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
69000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS123W-7-F Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
108000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 10Ohm
Max. Drainstrom: 170mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD