BSS131H6327XTSA1

Symbol Micros: TBSS131
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 240V; 20V; 20 Ohm; 110mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS131H6327XTSA1; BSS131 H6327; BSS131;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 110mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2312 0,1172 0,0710 0,0563 0,0514
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
117000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0514
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
213000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0514
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS131H6327XTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
235600 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0514
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 20Ohm
Max. Drainstrom: 110mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD