BSS131

Symbol Micros: TBSS131 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 240V; +/-20V; 14Ohm; 100mA; 360mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1; BSS131 H6327;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: BSS131 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2241 0,1136 0,0689 0,0547 0,0498
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Standard-Verpackung:
150
Hersteller: YFW Hersteller-Teilenummer: BSS131 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2241 0,1136 0,0689 0,0547 0,0498
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Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-10-30
Anzahl Stück: 6000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-10-15
Anzahl Stück: 3000
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 100mA
Maximaler Leistungsverlust: 360mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 240V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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