BSS138

Symbol Micros: TBSS138 ANB

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 4Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	Anbonsemi
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: AnBon Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

1250 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1147	0,0525	0,0287	0,0214	0,0191

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	Anbonsemi
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD