BSS138 China
Symbol Micros:
TBSS138 c
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 220mA; 360mW; 6 Ohm; -55°C ~ 150°C; Substitute: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138LT1G-HXY;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 220mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Hersteller: YY
Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0791 | 0,0312 | 0,0182 | 0,0133 | 0,0122 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-10-10
Anzahl Stück: 15000
| Widerstand im offenen Kanal: | 6Ohm |
| Max. Drainstrom: | 220mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 360mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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