BSS138 SOT23-3 CJ

Symbol Micros: TBSS138 CJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 220mA; 350 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: CJ
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECH Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1114 0,0439 0,0257 0,0188 0,0171
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: CJ
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD