BSS138 SOT23 HT SEMI

Symbol Micros: TBSS138 HTSEMI
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2,5Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HT
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HT SEMI Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0667 0,0258 0,0126 0,0100 0,0095
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HT
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 22V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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