BSS138 SOT23 LGE
Symbol Micros:
TBSS138 LGE
Gehäuse: SOT23-3
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 220mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | LGE |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 220mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | LGE |
Max. Drain-Source Spannung: | 50V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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