BSS138 SOT23 LGE

Name: TBSS138 LGE TBSS138 LGE
Brand: LGE
SKU: TBSS138LGE
Price: 0.0157 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS138 LGE

Gehäuse: SOT23-3

Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,5Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

670 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1018	0,0402	0,0234	0,0171	0,0157

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BSS138 SOT23 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

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2000 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1018	0,0402	0,0234	0,0171	0,0157

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Geplantes Datum:
2025-08-20

Anzahl Stück: 6000

Widerstand im offenen Kanal:	3,5Ohm
Max. Drainstrom:	220mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	50V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	10V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD