BSS138 SOT23 LGE

Symbol Micros: TBSS138 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
Transistor N-MOSFET; 50V; 10V; 3,5Ohm; 220mA; 350mW; -55°C~150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BSS138 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
670 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1036 0,0409 0,0238 0,0174 0,0159
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: BSS138 SOT23 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1036 0,0409 0,0238 0,0174 0,0159
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD