BSS138BK,215

Symbol Micros: TBSS138bk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,5 Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138BK,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
24280 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2216 0,1053 0,0591 0,0450 0,0403
Standard-Verpackung:
3000/99000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BK,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
78000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0403
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BK,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0403
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD