BSS138BK,215
Symbol Micros:
TBSS138bk
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 6,5 Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138BK,215; BSS138BK; BSS138BK.215;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 6,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 360mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS138BK,215 RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
24280 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2216 | 0,1053 | 0,0591 | 0,0450 | 0,0403 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138BK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
78000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0403 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138BK,215
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0403 |
Widerstand im offenen Kanal: | 6,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 360mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 420mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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