BSS138BK NXP

Symbol Micros: TBSS138bk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-MOSFET 60V 360mA 1.6Ω 350mW BSS138BK,215

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138BK,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
24980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2199 0,1044 0,0586 0,0446 0,0400
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Standard-Verpackung:
3000/99000
Widerstand im offenen Kanal: 6,5Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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