BSS138BKW NXP

Symbol Micros: TBSS138bkw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-MOSFET-Transistor; 60V; -/+20V; 1,6 Ohm; 320mA; 260 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSS138BKW,115;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 260mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2790 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2545 0,1292 0,0783 0,0621 0,0566
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
63000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0566
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0566
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 260mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD