BSS138BKW NXP
Symbol Micros:
TBSS138bkw
Gehäuse: SOT323
N-MOSFET-Transistor; 60V; -/+20V; 1,6 Ohm; 320mA; 260 mW; -55°C~150°C; Äquivalent: BSS138BKW,115;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 320mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 260mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115 RoHS
Gehäuse: SOT323 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2790 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2545 | 0,1292 | 0,0783 | 0,0621 | 0,0566 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
63000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0566 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115
Gehäuse: SOT323
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0566 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,6Ohm |
Max. Drainstrom: | 320mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 260mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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