BSS138BKW NXP

Symbol Micros: TBSS138bkw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor N-MOSFET; 60V; -/+20V; 1,6Ohm; 320mA; 260mW; -55°C~150°C; Substitute: BSS138BKW,115;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 260mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BSS138BKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2790 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2500 0,1269 0,0769 0,0610 0,0556
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 1,6Ohm
Max. Drainstrom: 320mA
Maximaler Leistungsverlust: 260mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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