BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED

Symbol Micros: TBSS138dw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 50V; 50V; 20V; 3,5 Ohm; 200mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138DW-7-F RoHS Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
135 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2678 0,1466 0,0961 0,0867 0,0766
Standard-Verpackung:
200
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138DW-7-F Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
288000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0766
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138DW-7-F Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
543000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0983
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138DW-7-F Gehäuse: SC70-6  
Externes Lager:
336000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0766
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD