BSS138K ONS (FAI)

Symbol Micros: TBSS138k
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 12V; 2,5 Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS138K-7; BSS138K-13;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BSS138K RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2060 0,1044 0,0633 0,0502 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138K-7 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138K-7 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138K-7 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
33000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0458
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD